STマイクロ、最大45W/150Wの高効率変換を可能にする集積型GaNソリューションを発表

STマイクロ、最大45W/150Wの高効率変換を可能にする集積型GaNソリューション

発表日:2021年08月27日
STマイクロエレクトロニクス、
最大45W/150Wの高効率変換を可能にする集積型GaNソリューションを発表
STマイクロエレクトロニクス(NYSE:STM、以下ST)は、シリコン・ベースのハーフブリッジ・ゲート・ドライバと、2つのGaN(窒化ガリウム)パワー・トラジスタを集積した世界初のシステム・イン・パッケージ(SiP)「MasterGaN(R)」に、最大45Wのアプリケーション向けの「MasterGaN3(*)」および最大150W向けの「MasterGaN5」を追加しました。これらの製品は、高効率の電力変換を実現するワイド・バンドギャップ半導体への移行を簡略化します。

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