発表日:2021年08月27日
STマイクロエレクトロニクス、
最大45W/150Wの高効率変換を可能にする集積型GaNソリューションを発表
STマイクロエレクトロニクス（NYSE:STM、以下ST）は、シリコン・ベースのハーフブリッジ・ゲート・ドライバと、2つのGaN（窒化ガリウム）パワー・トラジスタを集積した世界初のシステム・イン・パッケージ（SiP）「MasterGaN(R)」に、最大45Wのアプリケーション向けの「MasterGaN3（*）」および最大150W向けの「MasterGaN5」を追加しました。これらの製品は、高効率の電力変換を実現するワイド・バンドギャップ半導体への移行を簡略化します。
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