発表日:2021年10月15日
STマイクロエレクトロニクス、高効率スイッチングにより電力損失を大幅に削減する800V耐圧パワーMOSFETを発表
STマイクロエレクトロニクス（NYSE:STM、以下ST）は、主要な特性の改善により、システム全体における電力損失の大幅な削減に貢献するスーパー・ジャンクション型の新しいパワーMOSFET「STPOWER MDmesh K6シリーズ」を発表しました。同製品は、LEDドライバ、HIDランプなどのフライバック・トポロジに基づく照明アプリケーションや、アダプタ、フラットパネル・ディスプレイ用の電源に最適です。
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