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発表日:2023年01月24日
ビシェイ社、30V対象型デュアルMOSFETをPowerPAIR(R)3x3FS パッケージで発表、98%の効率性を実現
PowerPAIR 6x5F パッケージと比べてPCBスペースを63%削減する省スペース化デバイス、部品数の削減と設計の簡素化に貢献
ビシェイ・インターテクノロジー社（米国ペンシルバニア州、NYSE: VSH、日本法人:ビシェイジャパン株式会社、東京都渋谷区、代表取締役社長:小澤政治）は本日、3.3mm x 3.3mm PowerPAIR(R) 3x3FS パッケージに、ハイサイドとローサイドのTrenchFET(R) Gen VMOSFETを搭載する2種の対称型デュアルNチャネル 30V MOSFETの新製品を発表しました。コンピューティングとテレコム用途の電力変換用に、ビシェイ Siliconix ブランドのSiZF5300DT（ https://www.vishay.com/ppg?62071）とSiZF5302DT（ https://www.vishay.com/ppg?62055）は部品数の削減と設計の簡素化に貢献し効率性を向上させました。

本日リリースされたデュアルMOSFETは、PowerPAK 1212のデバイスを2つ使うソリューションを代替が可能で、ボードスペースを50%削減、またPowerPAIR 6x5FによるデュアルMOSFETと比べてエリアを63%削減します。同期バックコンバータ、POL変換、USB-C式ラップトップのDC/DCモジュール、サーバー、DC冷却ファン、テレコム装置向けに省スペース化ソリューションを提供します。これらのアプリケーション向けにSiZF5302DTのハイサイド・ローサイドMOSFETは、50%のデューティサイクルと特に1A〜4Aにて最高クラスの効率性を提供、SiZF5300DTは12A〜15Aの重負荷に対応した最適性能を提供します。
SiZF5300DTとSiZF5302DTはビシェイのGen V テクノロジーを採用し、最適なオン抵抗とゲート電荷を実現します。SiZF5300DTは10Vで2.02mΩ、4.5Vで2.93mΩ、SiZF5302DTは10Vで2.7mΩ、4.5Vで4.4mΩの標準オン抵抗を提供します。標準ゲート電荷はそれぞれ9.5nCと6.7nCで、同等のオン抵抗の前世代ソリューションと比べて35%低いオン抵抗とゲート電荷の積（電力変換アプリケーションでのMOSFETの重要な性能指数のFOM）を提供します。結果として効率性は2%向上し、100Wで98%の効率性を実現することで高周波スイッチングアプリケーションに最適です。