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発表日:2023年03月13日
広画角と高解像力でフルサイズCMOSセンサーなど多彩なデバイス製造に対応
拡大が期待されるXR市場のデバイス製造も可能な半導体露光装置を発売

キヤノンは、前工程向け半導体露光装置の新製品として、50×50mmの広画角と0.5μm(※1)の高解像力を両立するi線(※2)ステッパー”FPA-5550iX”を2023年3月13日に発売します。
新製品は、50×50mmの広い画角と0.5μmの高解像力の両立で、高精度化が進むフルサイズCMOSセンサーの製造に求められる高解像力での一括露光を実現します。また、新製品の高解像力と広画角での露光を活用し、ヘッドマウントディスプレイなどの小型ディスプレイ製造における露光工程への適用が可能です。最先端のXRデバイス用ディスプレイとして増加が見込まれている、広画角で高コントラストなマイクロOLEDパネル(※3)の製造も可能です。半導体デバイスに加えて最先端のXRデバイス用ディスプレイの製造にも対応でき、幅広いデバイスの製造をサポートします。

1. 高解像力と広画角を両立かつ製造方法の刷新によるレンズの安定供給を実現

従来機種「FPA-5510iX」（2015年9月発売）で採用されている投影レンズを継承したことで、0.5μm高解像力を実現します。また、50×50mmの広画角での露光が可能なことにより、フルサイズCMOSセンサーや次世代XR用ディスプレイで求められる広画角を一括で高精細に露光することができます。さらに、装置に多数搭載されている投影レンズを、高品質で安定的に供給できる製造方法に刷新することで、旺盛な半導体製造装置需要に応えます。

2. さまざまなアライメントマーク(※4)が読み取れるアライメントスコープの採用によりプロセス対応力を強化

アライメントスコープに、直射光を測定する「明視野検出」機能に加えて、散乱光や回折光を測定する「暗視野検出」機能を新たに追加し、ユーザーのニーズに合わせて測定方法を選べます。また、選択できる波長領域を拡大したことや、エリアセンサーを採用し多画素で測定できることで、低ノイズを実現し、低コントラストのアライメントマークでも測定可能です。

さらにオプションで、シリコンを透過できる赤外線波長を選択でき、裏面照射型センサーの製造に求められるウエハー裏面のアライメント測定にも対応するなど、さまざまなアライメントマークの測定が可能となり、ユーザーの多種多様なプロセスへの対応力を強化します。

3. Lithography Plusと連携することで高稼働率を実現

ソリューションプラットフォーム「Lithography Plus」（2022年9月発売）と連携することで、露光装置の状態を監視、分析し、露光装置の適切な品質管理や高稼働率を実現します。

※1 1μm（マイクロメートル）は、100万分の1メートル（=1000分の1mm）。

※2 i線（水銀ランプ波長365nm）の光源を利用した半導体露光装置。1nm（ナノメートル）は10億分の1メートル。

※3 有機EL（OLED）ならではの高画質で、シリコンウエハーを用いて超高解像度を実現するディスプレイ製造形式。

※4 半導体は回路パターンを何層も重ねて製造するため、位置合わせを行うためにウエハーに付けている印。

●半導体露光装置ホームページ : https://global.canon/ja/product/indtech/semicon/