東芝デバイス&ストレージ、1200V耐圧シリコンカーバイドMOSFET「TW070J120B」を発売
- 2020/11/14
- 半導体
- 1200V耐圧, MOSFET, TW070J120B, シリコンカーバイド, 東芝デバイス&ストレージ
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発表日:2020年10月19日
電源の高効率化に貢献する1200V耐圧シリコンカーバイドMOSFETの発売について
当社は、産業機器や大容量電源など向けに、シリコンカーバイド（SiC）を使用した1200V耐圧のMOSFET「TW070J120B」（ https://toshiba.semicon-storage.com/info/lookup.jsp?pid=TW070J120B ）を製品化し、本日から出荷を開始します。
新材料のSiCを使用したパワーMOSFETは、従来のシリコン（Si）MOSFETやIGBT製品と比べて高耐圧特性、高速スイッチングや低オン抵抗特性を実現しています。そのため、電力損失の大幅低減、機器の小型化に貢献できます。
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