カテゴリー:半導体
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発表日:2020年11月19日STマイクロエレクトロニクス、宇宙環境に対応した設定可能な高集積PoL DC-DCコンバータを発表STマイクロエレクトロニクス(NYSE:STM、以下ST)は、QML-V認定取得済みのPo…
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発表日:2020年10月19日超高感度CMOSセンサー"LI3030SAM/LI3030SAI"を発売近赤外線域感度の大幅な向上により肉眼では識別困難なシーンの撮像を実現キヤノンは、画素構造の変更により、従来機種(※1…
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発表日:2020年10月19日約2.5億画素の超高解像度CMOSセンサー"LI8020SAC/LI8020SAM"を発売キヤノンは、APS-Hサイズ(約29.4×18.9mm)のCMOSセンサーの新製品として、約2.5…
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発表日:2020年10月19日電源の高効率化に貢献する1200V耐圧シリコンカーバイドMOSFETの発売について当社は、産業機器や大容量電源など向けに、シリコンカーバイド(SiC)を使用した1200V耐圧のMOSFET…
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発表日:2020年10月20日50Aの高いサージ耐性と低いクランピング性能で民生用電子機器を保護するTVSダイオードアレイ「SP1250シリーズ」を発売Vbus、携帯用電池や家電製品、医療機器のボタン・スイッチ保護に最…
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発表日:2020年10月20日オン・セミコンダクター、高解像度の産業用イメージングを強化するXGS CMOS イメージセンサファミリの新製品を発表統合されたグローバルシャッタのセンサ製品群は、共通のアーキテクチャを有し…
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発表日:2020年10月21日STマイクロエレクトロニクス、通信距離、スループット、信頼性、セキュリティが向上したBluetooth(R)5.2準拠のSoCを発表STマイクロエレクトロニクス(NYSE:STM、以下ST…
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ビシェイ社、統合型 40 V MOSFET ハーフブリッジパワーステージを発表クラス最高のRDS(ON)とFOMを提供、電力密度と効率性を向上省スペース化デバイス、8.05mΩの低いRDS(ON)、6.5nCのQgを、…
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発表日:2020年10月23日日本TI、高精度設計の簡素化につながる、業界初のフェライト・ビーズ補償内蔵、低ノイズ降圧コンバータを発表低ノイズ、低リップル降圧コンバータにより、ノイズの影響を受けやすいアプリケーションの…
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発表日:2020年10月26日STマイクロエレクトロニクス、複数アプリケーションを統合可能な次世代ドメイン/ゾーン・アーキテクチャ向けの車載用マイコンを発表・STとBosch社がハードウェア機能による安全性とセキュリテ…
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