ビシェイ、統合型 40 V MOSFET ハーフブリッジパワーステージを発表

ビシェイ、統合型 40 V MOSFET ハーフブリッジパワーステージを発表

ビシェイ社、統合型 40 V MOSFET ハーフブリッジパワーステージを発表
クラス最高のRDS(ON)とFOMを提供、電力密度と効率性を向上
省スペース化デバイス、8.05mΩの低いRDS(ON)、6.5nCのQgを、小型PowerPAIR(R) 3x3S パッケージで提供
ビシェイ・インターテクノロジー社(米国ペンシルバニア州、NYSE:VSH、日本法人:ビシェイジャパン株式会社、東京都渋谷区、代表取締役社長:小澤政治)は本日、白物家電、産業、医療、テレコムアプリケーション向けに向上された電力密度と効率性を提供する、新しい40V N チャネル MOSFET ハーフブリッジパワーステージを発表しました。ビシェイ SiliconixブランドのSiZ240DTは一つの小型 PowerPAIR(R) 3.3mmx3.3mm パッケージにハイサイドとローサイドMOSFETを内蔵し、クラス最高のオン抵抗、およびオン抵抗とゲート電荷量の積(電力変換アプリケーションでのMOSFETの重要な性能指数のFOM)を提供します。

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